买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4463DY-T1-E3 MOSFET 20V 10A 2.5W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4463DY-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 10A 2.5W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 10A 2.5W
SI4463DY-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 14 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4463DY-T1-E3
SI4463DY-T1-E3/GE3
SI4463DY-TI
SI4463DY-TI-E3
Si4464-B0B-FM
Si4464-B0B-FMR
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  • SI4463DY-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价